Производитель 4-дюймовой пластины SiC ориентации 4H-N

Производитель неполированных подложек SiC в виде монокристаллических пластины SiC 4H-N размером 4 дюйма в исходном состоянии после резки

Хотите проверить свои оборудование для шлифования и полировки? Закажите монокристаллические пластины SiC в исходном состоянии после резки у производителя и поставщика пластины SiC HMT в Китае. Мы производим неполированные монокристаллические пластины SiC размером 4 и 6 дюймов в исходном состоянии после резки с минимальной плотностью микропор (MPD) по наиболее выгодной цене на рынке. Свяжитесь с нами прямо сейчас и получите коммерческое предложение!

SiC имеет более широкую энергетическую щель (зонную щель), чем существующий Si (кремний) - более чем в 3 раза шире, и может выдерживать напряжение более чем в 10 раз больше. SiC обладает низкими потерями и высокой мощностью, что делает его подходящим для областей применения с высоким напряжением и током, включая электромобили, инфраструктуру зарядки электромобилей, солнечную энергетику и морскую ветроэнергетику, а также другие зеленые генераторы электроэнергии. По сравнению с традиционным Si, третьего поколения полупроводниковый материал SiC может снизить потери при преобразовании электроэнергии на 50%, уменьшить стоимость преобразования электроэнергии на 20% и увеличить запас хода электромобилей на 4%.